铁电存储器助富士通半导体拓展多领域应用

在以往产品开发过程中，大量的数据采集对于工程师来说一直是件头疼的事情。数据需要不断地高速写入，传统的存储技术如EERPOM、Flash的写入寿命和读写速度往往不能满足其要求，而FRAM（铁电随机存取存储器）的推出使得这些问题迎刃而解。

和 传统的存储技术相比，FRAM在对需要非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久性和抗辐射性这些综合性能的应用领域表现出众、口碑良好。FRAM的特点是 速度快，能够像RAM一样操作，读写功耗极低，不存在如EEPROM的最大写入次数的问题，是一种高可靠性的存储器，目前在仪器仪表、汽车电子、医疗电 子、工业控制等领域有广泛应用。

目前，全球同时具备研发和生产FRAM的厂家仅有富士通一家。富士通半导体亚太区销售总经理欧阳坚 （James Ouyang）表示：“FRAM结合了闪存和EEPROM的非易失性，和SRAM的高速、随机存储的特长，为独立存储器芯片和嵌入式存储器带来一系列独一 无二的优点。富士通开创了FRAM技术，并在此领域耕耘超过10年，从1999年开始量产，最初为客户提供产品定制化服务，后续又向市场推出单体FRAM 存储器产品，14年累计全球销售23亿片FRAM产品，这其中在中国市场累计交货达5300万片。”